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p型Bドープ多結晶Si₈₀Ge₂₀の電気抵抗率・ゼーベック係数・熱拡散率の温度依存性
概要
熱電特性評価装置OZMA-1を使用し、p型Bドープ多結晶Si₈₀Ge₂₀の電気抵抗率、ゼーベック係数、熱拡散率を、単一試料・同一熱伝搬方向で測定した事例を紹介するアプリケーションノートです。
室温付近から約900 K（約627℃）まで2回の昇温測定を行い、熱電3物性の温度依存性、測定結果の再現性、各物性の参照データとの比較結果を紹介します。
この資料でわかること
- 単一試料・同一熱伝搬方向で熱電3物性を評価する意義
- 電気抵抗率、ゼーベック係数、熱拡散率の測定方式と測定条件
- 周期加熱法による熱拡散率測定の原理と算出方法
- SiGe熱電材料における熱電3物性の温度依存性
- 各物性の測定結果と参照データとの比較
お手持ちの試料を測定したい方
試料の材質、形状・寸法、表面状態、希望する測定項目、温度範囲、雰囲気条件、評価方向などを確認し、測定可否と推奨条件をご案内します。